11月27日，集成电路学院IC学术系列论坛——科技论坛第三期在A116报告厅举办。本次论坛邀请了华润微电子代工事业群研发总监肖魁进行学术分享。论坛由学院党委书记耿向阳主持，学院120余名师生到会聆听并展开探讨。

肖魁以《IGBT Device and Application》为主题，围绕 IGBT 器件概述、应用、结构工艺技术、基本特性、坚固性、结构创新及未来发展趋势等方面展开。他首先介绍了IGBT 在功率器件中的地位、基本结构及特性需求、制作工艺和技术演进，详细列举了其在汽车、UPS、轨道交通、光伏、电机驱动、工业电焊机等领域的应用方向。其后，他从结构工艺技术方面介绍了NPT 技术等5种IGBT器件的主流结构技术，并具体阐述了IGBT发射结载流子浓度增强技术、IGBT集电极低空穴注入技术。接着，他讲解了IGBT 器件的特点、参数、导通与开关特点、优化目标、阻断特性、掺杂及电场分布、导通特性、数学模型、开关特性等内容，探讨了闩锁效应、雪崩耐量、短路能力、安全工作区、温度系数等相关内容，展示了载流子存储增强、高开关可靠性提升、短路能力及器件性能提升、开关电容及导通压降性能提升等创新技术，最后，他对IGBT 技术演进、市场发展趋势、特点及应用需求催生的产品公司情况进行了分析和展望，为在场师生构建了有关IGBT器件全方位的知识体系。现场师生受益良多，并与肖总监展开热烈探讨交流。

学院党委书记耿向阳主持论坛

华润微电子代工事业群研发总监肖魁进行学术分享

现场师生与嘉宾展开热烈探讨

活动现场（一）

活动现场（二）